苏州固锝取得一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺专利，该专利技术能实现在硅片衬底中隔离出四间隔块

　　金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺“，授权公告号CN110112130B，申请日期为2019年4月。

　　专利摘要显示，一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺；步骤为：在硅片衬底上、下表面均形成第一二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除上、下表面第一二氧化硅薄膜层的隔离带区域；对隔离带区域进行硼掺杂形成第一P+区，在上下方向贯通形成隔离墙，在硅片衬底中隔离出四间隔块；形成第二二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第二二氧化硅薄膜层上的四第一掺杂区域；对第一掺杂区域进行磷杂质掺杂形成N+区；形成第三二氧化硅薄膜层；刻蚀并去除第三二氧化硅薄膜层的四第二掺杂区域；对第二掺杂区域进行硼掺杂形成第二P+区；在第二P+区边缘区域开沟槽；形成多晶硅钝化复合薄膜层；在沟槽中形成玻璃钝化层；裸露出N+区及第二P+区；在N+区及第二P+区的表面沉积金属层形成金属电极。